GSM ve ISM Bandı RF Enerji Hasatlama Sistemleri için Tek Katlı Doğrultucu Devre Tasarımı
Künye
Belen, A. & Belen, M. A. (2021). GSM ve ISM Bandı RF Enerji Hasatlama Sistemleri için Tek Katlı Doğrultucu Devre Tasarımı. Mühendislik Bilimleri ve Tasarım Dergisi , 9 (2) , 359-365. https://doi.org/10.21923/jesd.916164Özet
Kablosuz haberleşme sistemlerinin yaygınlaşmasıyla ortamlarda pek çok frekansta sinyaller bulunmaktadır. Ortamda bulunan mevcut sinyallerin enerji kaynağı olarak dönüştürülmesini hedefleyen sistemler enerji hasatlama sistemleridir. Bu sistemlerin temel kullanım amacı düşük güç tüketimine sahip haberleşme aygıtlarının pil ömürlerini uzatmaktır. Bu çalışma kapsamında 1.8GHz ile 2.5GHz Frekanslarını kapsayan geniş bandlı tek katlı RF doğrultucu devre tasarımı sunulmuştur. Kapsadığı geniş frekans bandından dolayı bu band içerisinde yer alan GSM ve ISM band uygulamalarında kullanılması uygundur. RF doğrultucu devrenin uyumlandırma katında mikroşerit interdijital kapasitör ve mikroşerit saplama yapıları kullanılmıştır. Tasarlanan devreye 0dBm giriş gücünde 1.8GHz de 100ohm yük direncinde 38mV iken 100Kohm yük direncinde 141mVve 2.4GHz de 100ohm yük direncinde 125.6mV iken 100Kohm yük direncinde 199mV çıkış gerilimi elde edilmiştir. Doğrultucunun çıkış direnç değeri 100ohm ile 100Kohm arasında değiştirilerek, yük değeri değişiminin doğrultucu performansına etkisi incelenmiştir. With the expansion of wireless communication systems, the amount of signal in our environment are also increased. RF harvesting systems are designs that aims to harness these available energy in the environment. The main application of these systems, is to provide aid or extend the battery life of communication systems with low power consumption. Herein, design of a single stage RF harvester design with operation band of 1.8-2.5 GHz had been studied. Due to the available GSM and ISM band signals, the proposed design would have good performance results. For design of rectifier stage of RF harvester, Microstrip inter-digital capacitor and microstrip stub designs had been used. With a 0 dBm input power, the designed RF harvester had obtained output voltage of (38/141) mV with a load of 100/100K ohm and (125.6/199) mV for load of 100/100K ohm at 1.8 and 2.4 GHz respectively. The output impedance value of the RF harvester had been take taken between 100-100k ohm to evaluate the performance of the design for different load values.
Kaynak
Mühendislik Bilimleri ve Tasarım DergisiJournal of Engineering Sciences and Design
Cilt
9Sayı
2Bağlantı
https://doi.org/10.21923/jesd.916164https://dergipark.org.tr/tr/pub/jesd/issue/62893/916164
https://hdl.handle.net/20.500.12508/2501