WLAN Uygulamaları için Düşük Gürültülü Kuvvetlendirici Tasarımı
Citation
Belen, A (2021). WLAN Uygulamaları için Düşük Gürültülü Kuvvetlendirici Tasarımı. Avrupa Bilim ve Teknoloji Dergisi, 0(25), 665 - 668. https://doi.org/10.31590/ejosat.920045Abstract
Kablosuz haberleşme sistemlerinin gelişmesiyle birlikte bu alanda kullanılacak sistemlerin alt birleşenlerine olan talep giderek artmaktadır. Alıcı sistemlerde düşük gürültülü kuvvetlendirici (LNA) anahtar rol oynamaktadırlar. Bu elemanlar sistemin genelperformansında önemli bir rol oynamaktadırlar. Sistem girişindeki düşük seviyedeki sinyalleri alarak yükseltirler bu aşamadaolabildiğince düşük gürültü seviyesine sahip olması önemlidir. Bu çalışma kapsamında 5.6GHz WLAN uygulamaları ile uyumludüşük gürültülü kuvvetlendirici (LNA) tasarımı ve üretimi gerçekleştirilmiştir. BFP720 SiGe transistörlü LNA tasarımı yapılaraksistem içindeki performansı incelenmiş ve sağladığı yüksek kazanç yanı sıra yüksek kesim voltajına olanak sağladığı için butransistörün kullanımına karar verilmiştir. Tasarımda FR4 taban malzemesi olarak seçilmiştir. Tasarımlarda AWR microwave Officeyüksek frekans programı kullanılmıştır. Yapılan ölçümlerde transistör 2.8V ve 10mA ile beslenerek 5.6GHz bandında 13dB kazanç,S11<-10dB elde edilmiştir. With the recent rapid development in wireless communication systems the demands to its sub-systems also had increased. One of thekey element in sub-systems is Low Noise Amplifier (LNA) stage. The performance of this stage has the highest effect on the overallperformance of the whole system. Amplification of the low amplitude input signals with the possible lowest noise is at mostimportance. Herein, design and its realization of a high performance, low cost, and wideband Low Noise Amlifier (LNA) for 5.6 GHzWLAN application had been taken into the study. BFP720 SiGe had studied and determined as an optimal transistor for the aimed LNA design due to its high gain and cut-off voltage values. The aimed LNA design had been simulated in AWR microwave Officehigh frequency simulator using FR4 material. Based on the experimental results, with a DC biased condition of 2.8 V 10 mA, thedesigned achieves a gain of 13 dB with S11 value of less than -10 dB at 5.6 GHz
Source
Avrupa Bilim ve Teknoloji DergisiIssue
25URI
https://doi.org/10.31590/ejosat.920045https://dergipark.org.tr/tr/pub/ejosat/issue/62595/920045
https://hdl.handle.net/20.500.12508/3048